首页文章详情

玻璃基板,路线图

半导体行业观察2026-08-31 10:56
全球玻璃基板商业化竞争开启,2027-2030年是关键窗口。

两年前,英特尔曾高调宣布:玻璃芯基板(Glass Core Substrate,GCS)将成为下一代先进封装的核心,并计划投入超过10亿美元推动产业化。

如今,这项技术已经进入最终认证阶段,但真正的商业产品仍未出现。随着三星、SKC、台积电、日本材料企业陆续公布量产计划,玻璃基板的竞争也从“谁先提出概念”,演变成了“谁能率先交付”。

从目前公开信息来看,2027—2030年将成为玻璃基板商业化的关键窗口期。这不仅是一项材料升级,更关系到AI时代超大尺寸Chiplet、HBM以及共封装光学(CPO)能否继续扩展封装规模。

为什么行业都在押注玻璃?

玻璃并不是为了替代硅,而是为了替代今天先进封装中广泛使用的有机基板。

过去十年,GPU、CPU与HBM不断采用Chiplet架构,封装面积迅速扩大。以英伟达为例,Blackwell封装面积约2739平方毫米,而下一代Rubin Ultra预计达到7470平方毫米,几乎相当于九块光罩面积的硅与HBM组合。如此巨大的封装尺寸,已经逼近有机基板的物理极限。

英特尔此前公布的数据显示,玻璃基板可实现约10倍互连密度,图形畸变降低50%,翘曲降低约50%,其热膨胀系数可调节至3–10 ppm/°C,更接近硅本身的2.6 ppm/°C。这意味着在经历数百次冷热循环后,玻璃能够保持更稳定的尺寸精度,减少Chiplet与HBM之间的应力。

另一项重要变化来自矩形面板。传统300毫米圆形晶圆在制造超大封装时,边缘会产生大量浪费,而510×515毫米矩形玻璃面板的利用率可超过75%,显著降低大尺寸封装的材料成本。因此,玻璃基板与面板级封装(PLP)实际上是两条高度关联的技术路线。

在ECTC 2025大会上,多项研究进一步验证了玻璃的高速互连潜力。研究人员展示了直径6微米、纵横比超过15:1的玻璃通孔(TGV),佐治亚理工学院则实现了220GHz工作频率、插损仅0.3dB的堆叠玻璃器件,为未来光电混合封装提供了实验依据。

但对于玻璃基板而言,最大难题不是性能,而是制造。换而言之,玻璃最大的敌人,从来不是电性能,而是良率。

相比柔性的有机材料,玻璃天然更脆,在钻孔、切割和搬运过程中极易出现边缘崩裂和微裂纹。MIT Technology Review今年3月披露,Absolics早期试产阶段曾因玻璃破裂导致数百块面板在几天内报废,制造稳定性一度成为整个项目最大的挑战。

过去一年,产业链已经取得不少突破。通过边缘涂层工艺,玻璃边缘应力从95MPa下降至49MPa;低温介电材料能够在180°C以下完成固化,减少封装过程中的热应力;新的切割工艺也进一步降低了玻璃碎裂概率。

但真正困难的制造问题仍未完全解决:如何在半米长的玻璃面板上完成小于10微米的过孔金属化,同时保持纳米级平整度。 对于拥有20层以上RDL的大型AI封装而言,任何微小翘曲都会影响后续光刻和键合精度,因此良率依然是决定玻璃能否商业化的核心指标。

也正因如此,目前全球所有厂商几乎都把重点放在**封装级可靠性(PLR)**验证,而不是直接宣布量产。

英特尔率先提出,等待商业落地

2023年9月,英特尔率先公开玻璃芯基板(Glass Core Substrate,GCS)路线图,并将其定义为先进封装的下一代基础平台。彼时,随着Chiplet架构与HBM快速普及,传统有机基板已经开始面临翘曲、尺寸稳定性不足以及互连密度受限等问题。英特尔判断,未来AI处理器封装面积将持续扩大,仅依靠优化有机材料已难以支撑下一代产品,因此决定以玻璃作为核心载体,并宣布投入超过10亿美元建设研发、试产与制造能力,目标是在2030年前后推动玻璃基板进入主流量产。

在当时的技术路线中,玻璃并非孤立存在,而是与英特尔的EMIB桥接封装、Foveros 3D堆叠以及未来共封装光学(CPO)共同组成完整的先进封装体系。换句话说,玻璃基板被视为承载超大Chiplet系统的“地基”,而EMIB和Foveros则负责完成芯粒之间的高速互连。

经过近两年的研发,英特尔目前表示玻璃基板已进入**最终认证(Final Qualification)**阶段。今年初,公司首次展示了一套基于玻璃芯基板封装的系统级工程样机,并成功启动Windows操作系统。这意味着玻璃基板已经完成了从材料验证、封装验证到系统运行验证的关键节点,证明其能够支撑CPU、内存、高速I/O等完整系统稳定工作,而不再只是实验室里的材料样品。

今年1月举行的NEPCON Japan展会上,Intel Foundry进一步公开了其首款厚芯玻璃基板实物。整个封装尺寸达到78×77毫米,内部采用两层800微米玻璃核心,两枚EMIB桥接芯片直接嵌入玻璃之中,两侧各配置10层重布线层(RDL),顶部集成约1716平方毫米硅芯片,相当于接近两个完整光罩面积。英特尔透露,该样品在制造、热循环及可靠性测试过程中未发现微裂纹,也验证了玻璃核心与EMIB混合封装的制造可行性。

不过,率先提出并不意味着率先量产。过去一年,英特尔对于玻璃基板的表述已明显从“产品导入”转向“平台建设”。相比直接宣布商用时间,公司更强调专利布局、工艺标准和生态合作,希望将玻璃基板打造为Intel Foundry对外提供的先进封装能力之一。DigiTimes今年7月报道称,英特尔已与中国玻璃制造企业蓝思科技展开早期封装合作讨论,但双方尚未公布任何实质性合作项目。

这也反映出玻璃基板产业当前的现实:技术领先者未必是最先量产者。TrendForce预计,英特尔真正的大规模商业部署仍将在2030年前后,首批产品大概率面向数据中心CPU、AI加速器以及共封装光学平台,而在此之前,韩国厂商有望率先完成玻璃基板的商业化验证。

韩国阵营:2027年率先冲击量产

如果说英特尔定义了玻璃基板的技术方向,那么韩国企业的目标则更加明确——率先把玻璃基板做成一门生意。

过去一年,韩国正在以三星电机、SKC、LG Innotek三家企业为核心,构建从玻璃材料、TGV加工、金属化到高端基板制造的完整产业链,希望抢占下一代先进封装供应链的话语权。与美国更多聚焦平台技术不同,韩国的竞争重点是率先建立稳定的量产能力。

今年2月,三星电机正式将玻璃基板项目从高级研发部门转入业务执行部门,这通常意味着技术已完成基础验证,开始进入客户导入、设备采购与供应链建设阶段。对于半导体材料企业而言,从研发部门移交至业务部门,往往也是距离商业化最近的重要节点。

随后在7月2日,三星电机与住友化学旗下东宇精细化学共同成立合资公司GLASEM,总投资4821亿韩元(约3.1亿美元)。双方的分工十分明确:三星电机负责先进基板制造与客户资源,东宇精细化学提供玻璃材料与化学工艺,共同建设玻璃芯基板专用生产体系。

按照规划,GLASEM将在韩国平泽建设玻璃核心生产基地,并于2027年下半年启动量产。其主要工艺包括玻璃钻孔(TGV)、孔壁金属化、玻璃核心加工等关键制造环节,随后再供应三星电机既有的FC-BGA封装生产线,形成从玻璃核心到高密度基板的一体化制造流程。

三星之所以被认为具备竞争优势,并不仅仅因为玻璃技术本身,而是其已经拥有全球领先的FC-BGA和高密度封装基板产能。一旦玻璃核心成熟,无需重新建立整套封装体系,便可直接导入现有生产平台,大幅缩短商业化周期。韩国媒体也报道称,目前玻璃样品已送往AMD、博通等客户进行评估,不过相关企业尚未公开确认采用。

另一家更值得关注的企业,则是SK集团旗下的Absolics。

Absolics成立于2021年,是全球第一家专门面向玻璃芯基板产业化的新公司,其位于美国佐治亚州Covington的工厂总投资约6亿美元,其中包括7500万美元美国《芯片法案》资金,以及政府与佐治亚理工学院共同支持的先进封装研发项目。相比仍处于中试阶段的竞争对手,Absolics已经建成完整的玻璃基板生产线,一期设计产能达到12000平方米/年,理论上可对应约200万至300万个H100级AI封装。

今年7月,SKC在财报电话会上首次披露了项目最新进展:Absolics生产的嵌入式玻璃基板样品已经送往台湾,正在接受**封装级可靠性(Package-Level Reliability,PLR)**认证。这也是目前全球公开信息中最接近商业导入的一次客户验证,其测试内容涵盖热循环、机械应力、湿热老化以及长期封装可靠性,预计将在今年年底公布最终结果。

如果认证顺利通过,Absolics计划于2026年底启动量产,有望成为全球首家实现玻璃芯基板商业供应的企业。这也意味着,真正率先进入市场的未必是最早提出概念的英特尔,而可能是韩国供应链。

与此同时,LG Innotek也在韩国龟尾推进第三条玻璃基板路线,计划于2027—2028年进入量产阶段。至此,韩国已经形成“三家企业、三条路线”的产业布局:三星电机负责高端封装基板,Absolics聚焦玻璃核心制造,LG Innotek布局下一代封装材料,构成目前全球最完整的玻璃基板产业集群之一。

台积电与日本:面板先行,玻璃随后

与韩国希望率先实现玻璃基板量产不同,台积电选择了一条更加稳健的技术路线:先完成面板级封装(PLP)的产业化,再决定是否全面导入玻璃核心。

目前,台积电最重要的项目是位于嘉义的CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)平台。与传统CoWoS采用300毫米圆形晶圆不同,CoPoS首次将先进封装扩展至310×310毫米矩形面板,目的并不是更换材料,而是提高超大Chiplet封装的面积利用率和生产效率。今年2月,CoPoS产线完成关键设备进驻,6月左右完成试生产,按照规划将于2027年进入试量产,并在2028年实现正式量产。

从技术路径来看,CoPoS与玻璃基板并非同一个概念。CoPoS强调的是“面板化”,玻璃强调的是“基板材料”。理论上,CoPoS既可以使用有机材料,也可以未来切换至玻璃核心,因此台积电实际上是在为玻璃预留制造平台,而不是急于切换材料体系。

设备供应商SCHMID也表示,目前CoPoS平台是否采用玻璃基板仍处于持续评估阶段,尚未形成最终方案。TrendForce进一步预测,台积电真正商业化玻璃基板的时间可能要到2030年之后,这意味着未来几年其重心仍将放在提升面板级封装良率,而非率先押注玻璃材料。

事实上,台积电对玻璃的态度曾经历过一次明显调整。几年前,由于工艺成熟度和成本因素,公司一度降低玻璃基板研发优先级;但随着英伟达Blackwell、Rubin等超大AI封装不断突破封装尺寸限制,玻璃研究再次被重新启动。业内普遍认为,英伟达几乎主导了当前AI封装规格的演进节奏,台积电更多采取“客户需求驱动”的策略——只有当超大封装真正突破有机基板极限时,玻璃才会进入量产路线图。

相比台积电聚焦封装制造,日本企业则几乎全部布局在上游材料与工艺。

其中,大日本印刷(DNP)已经在埼玉县启动510×515毫米TGV玻璃芯材中试生产线,计划2026年开始向客户交付样品,并于2028财年实现量产;TOPPAN则同步建设玻璃芯材与玻璃中介层试产线,重点突破高精度玻璃加工与多层互连技术;日本电气硝子(NEG)则推出515×510毫米、厚度1毫米的陶瓷增强玻璃核心,为大尺寸封装提供更高机械强度。

更具前瞻性的则是Rapidus。这家日本2nm晶圆代工企业已经开始研究600×600毫米玻璃面板级封装,希望将玻璃与下一代Chiplet系统结合,为2020年代末期的超大AI芯片预留制造能力。虽然项目仍处于可行性研究阶段,但也反映出日本希望在下一代封装基础设施上提前布局。

整体来看,台积电与日本形成了一种互补关系:台积电负责定义未来封装平台,日本负责提供玻璃材料、TGV加工和核心制造工艺。 相比韩国追求率先量产,两者更倾向于等待产业成熟后,再完成玻璃基板的大规模导入。

写在最后

目前全球主要厂商的公开路线已经逐渐清晰:Absolics希望在2026年底率先完成商业供应;三星GLASEM瞄准2027年量产;台积电将在2028年前后完成CoPoS平台成熟,再决定玻璃导入节奏;英特尔则更偏向2030年前后的高端服务器平台。

这意味着,未来三年的竞争重点并不是谁提出概念,而是谁能够率先拿到首个真正的量产客户。

市场真正需要玻璃吗?答案几乎只指向一个领域:AI。

TrendForce估计,目前CoWoS中介层晶圆加工成本已接近每片1万美元,与先进7nm逻辑晶圆成本相当。当封装面积继续扩大时,圆形晶圆的边缘浪费越来越严重,而有机基板也开始面临翘曲和尺寸稳定性的双重瓶颈。

玻璃基板真正解决的问题,并不是单纯提升性能,而是为未来**超大Chiplet、HBM4/5以及共封装光学(CPO)**提供一个能够继续扩展面积的平台。如果没有新的基板材料,AI封装的尺寸和良率都将受到限制。

SEMI与TechSearch联合发布的首份玻璃基板市场报告预测,该技术将在2028年前后进入初步量产阶段,并在2028至2040年保持67.2%的复合增长率。Yole也预计,到2030年先进IC基板市场规模将达到310亿美元,玻璃基板将成为推动增长的重要动力之一。

不过,截至目前仍需保持谨慎:全球尚无任何官方确认的玻璃基板量产Design Win。所有涉及AMD、博通、AWS、英伟达等客户的信息,均来自供应链或行业媒体报道,相关公司尚未正式宣布采用玻璃基板产品。

因此,真正决定玻璃基板产业拐点的,仍将是今年年底Absolics公布的封装级可靠性结果,以及2027年三星GLASEM能否按计划实现量产交付。

本文来自微信公众号“半导体行业观察”(ID:icbank),作者:编辑部,36氪经授权发布。