芯片制造，新竞赛
现在，晶圆厂产能短缺已经成为共识。在AI的推动下，全球的基础设施厂商也都在“抢”芯片，进而引爆了芯片扩产潮。
全球最大的半导体代工厂台积电在2026年4月表示，“预计2026年的资本支出将达到约560亿美元。我们将重点投资扩大产能，以满足英伟达、AMD和苹果等人工智能相关客户的需求。” 然而，该公司并未否认，即使增加资本支出，也仍然不足以满足2027年的需求。
在2026年4月举行的公司第一季度业绩电话会议上，首席执行官魏哲家表示：“新工厂的建设需要两到三年时间，没有捷径可走。进一步扩大生产规模还需要一到两年时间。”
从字面上看，魏哲家所说的产能似乎是重点围绕晶圆制造。但从市场反馈看来，先进封装的扩展也在全球高速开展。
先进制造，率先扩产
在这波扩产浪潮中，晶圆厂无疑是先头兵，台积电更是其中的领跑者。
据此前的消息透露，该公司计划加快在日本、台湾和美国建设新工厂，以生产3纳米芯片。台湾工厂预计将于2027年上半年投产，美国工厂将于同年下半年投产，日本工厂则将于2028年投产。
该公司还计划扩大其采用3纳米工艺节点的生产规模，该节点是该公司过去几年建立的。在3纳米工艺技术领域，该公司尚无竞争对手。
魏哲家表示：“此前，一旦某个制程节点的产能达到目标，我们就不会再增加产能。但是，我们现在正在实施一项计划，在全球范围内扩大产能，以满足未来几年对3nm技术的强劲需求。应用领域包括智能手机、高性能计算人工智能（包括基于宽带内存[HBM]芯片的高性能计算和人工智能）、汽车和物联网。”
台积电凭借其最先进的2纳米芯片，在2025年底前开始量产，领先于三星电子和英特尔等竞争对手，引领行业发展。然而，据国际商业战略公司首席执行官汉德尔·琼斯称，台积电的竞争对手也在不断提升竞争力。
凭借其在存储器和逻辑芯片业务以及自有品牌电子产品业务方面的雄厚财力，享有规模经济效益。自2026年初以来，三星存储器业务的利润也持续增长。根据琼斯的预测，到2026年，三星的存储器销售额预计将超过2000亿美元，营业利润将超过1200亿美元。
三星在工艺技术方面也在迎头赶上。
据介绍，三星的‘SF2P’（第二代2nm工艺）在功耗、性能和面积（PPA）方面正逐渐与‘N2’（台积电的2nm工艺）展开竞争。该公司已经获得了众多大客户，最终其产能将达到极限。
三星是全球第二大晶圆代工厂，预计将使其位于德克萨斯州奥斯汀的产能翻一番以上，并将月晶圆产量提高到5万片。此外，该公司还在韩国每月新增2万片晶圆的产能，并扩大其2纳米晶圆的内部消耗量。
此外，英特尔还和Elon Musk携手打造TeraFab。Terafab项目——其目标是每年提供1太瓦的计算能力——是马斯克最新的雄心勃勃的计划。虽然特斯拉自主设计自动驾驶FSD芯片，但马斯克的公司从未生产过半导体。然而，他现在却计划以远超世界现有产能的规模生产半导体，首先在奥斯汀建立一条试点生产线，利用特斯拉现有的电动汽车工厂和基础设施。
其设想是，这些芯片将用于支持马斯克的人工智能（AI）业务xAI，包括一系列人形机器人和太空数据中心——半导体行业中的许多人并不看好这些雄心壮志。该项目的最终规模，以及它是否会扩展到德克萨斯州以外的多个地点，目前尚不清楚。
据彭博社报道，埃隆·马斯克的助手们已经与芯片行业的供应商，包括应用材料公司、东京电子有限公司和拉姆研究公司，接触，为他设想的 Terafab 项目做准备。这是他大胆尝试打入尖端芯片生产领域，并可能面临艰巨挑战的早期步骤。
据知情人士透露，特斯拉公司与太空探索技术公司（SpaceX）合资企业的员工一直在询价，询问各种芯片制造设备的价格和交货时间。这些不愿透露姓名的人士表示，过去几周，他们已经联系了光掩模、基板、蚀刻机、沉积机、清洗设备、测试仪和其他工具的制造商。
Terafab团队还曾向芯片制造合作伙伴三星电子寻求支持。但据知情人士透露，这家韩国公司却提议在其位于德克萨斯州泰勒市的拟建工厂中为特斯拉分配更多产能。
先进封装，紧追不舍
如前文所说，在先进制造加紧推进的同时，先进封装作为摩尔定律的新救星，也在同步推进。这当中也以台积电为主角。
四月中就有报道指出，因应苹果与非苹阵营AI应用高速成长，台积电正全力打造美国首座先进封装厂（AP9），2028年激活生产InFo与CoWoS；台湾则将加速扩充SoIC产能，预计2027年达到月产4万片。
如前文所说，台积电已释出今年资本支出落在520亿美元至560亿美元，挑战新高，年增率约27%起跳的消息，其中约70%至80%用于先进制程技术，另有约10%至20%用于先进封装、测试、光罩制作及其他项目，其余10%用于特殊制程技术，显示先进封装今年是一大重点；与此同时，有消息指出，三星电子计划斥资 40 亿美元在越南北部太原省建设一座芯片封装厂。该工厂将分期建设，首阶段投资规模为 20 亿美元。
除了这两个大玩家以外，英特尔也正在凭借EMIB成为封装市场的新赢家。
在1月份的季度财报电话会议上，英特尔首席执行官陈立武声称，英特尔的封装技术是其与竞争对手的“巨大差异化优势”。首席财务官戴夫·津斯纳（Dave Zinsner）在同一次会议上表示，公司预计封装业务的收入“甚至会在晶圆业务收入开始产生实质性影响之前就已实现”。津斯纳表示，在过去的12到18个月里，他已将封装业务的收入预测从数亿美元上调至“远超10亿美元”。
Zinsner 在 3 月份的摩根士丹利科技、媒体和电信大会上对此进行了详细阐述，他称英特尔的封装业务“具有讽刺意味地成为当今晶圆代工业务中最有趣的部分”，并补充说，该公司“即将完成一些每年价值数十亿美元的封装收入交易”。
除了这些晶圆厂，传统风封装巨头也在大力扩产先进封装。
首先看封装龙头日月光，据投控执行长吴田玉宣布，2026年将迎来公司史上最大规模的建厂潮，全球共有六座新厂同步动工，地点横跨台湾高雄、美国、马来西亚、日本、德国及墨西哥。其中，高雄仁武基地投资额逾新台币1,000亿元，专注于高阶测试与先进封装产能。面对地缘政治引发的供应链重组，日月光采取全球化布局策略，不仅在美国加州落成测试基地，更在马来西亚槟城扩建五厂以强化东南亚封测能量。此举旨在应对AI与高效能运算（HPC）带来的强劲需求，并透过分散生产据点，确保在区域政治波动下仍能维持供应链韧性，满足全球客户对“在地化生产”的严苛要求。
来自中国大陆的长电科技在日前的投资者交流中谈到下一步扩产规划时也指出，公司将基于对市场的研判继续聚焦高端产能布局并围绕以下几方面展开：一是应用领域倾斜，结合未来市场预判，保持向汽车电子、运算存储、高密度电源等领域适度侧重；二是深化客户合作，始终重视客户关系，持续强化与头部高端客户的绑定；三是加大研发投入，聚焦先进封装技术及前沿领域的突破，推动技术发展与应用需求深度契合。总体来看，结合当前先进封装的旺盛需求趋势，公司将持续加大相关投资力度。
甬矽电子也在一份投资者交流速记中指出，公司2026 年资本开支规模预计较2025 年有所增长，主要投向包括现有产品线产能扩张、新客户产品导入、晶圆级封装及2.5D、FC 类产品等领域。
近日登录资本市场的盛合晶微在中段硅片加工技术优势的基础上，公司稳步延伸后段先进封装能力。公司在IPO招股书中也披露，将募集资金拟投向“三维多芯片集成封装项目”及“超高密度互联三维多芯片集成封装项目”。两大项目的落地，将进一步强化盛合晶微在芯粒多芯片集成封测领域的一站式服务能力，巩固行业领先地位。
总而言之，先进封装的竞争正在全球开展。
存储厂商，新兴势力
在这波芯片产能扩产浪潮中，存储芯片厂商是一个新兴代表。他们一方面扩产芯片，也在扩产先进封装。
据韩媒报道，今年，三星将优先推进其位于京畿道平泽园区的生产线向存储芯片生产转型，并加快该园区新设施的建设。
在P4工厂，该公司正在将动态随机存取存储器（DRAM）生产线升级到最新的1c工艺，该工艺将用于生产高带宽内存（HBM）和先进的DRAM芯片。三星的目标是通过生产线改造和新增设备安装，在年底前实现每月超过20万片晶圆的1c工艺产能。
此前因半导体行业低迷而延期的P5工厂建设已于今年恢复，工期比原计划提前了约六个月。这家芯片制造商正在引进数万名新工人来建设这座能够生产HBM、DRAM、NAND闪存以及潜在代工芯片的巨型晶圆厂。该工厂预计将于2027年上半年竣工，设备安装工作随后开始，目标是在2028年下半年实现量产。
平泽最后一座工厂P6的建设预计将于2028年第三季度启动。SK海力士目前正集中短期投资，扩建位于忠清北道清州市的M15X工厂，同时升级老旧生产线。
该公司正在M15X工厂新增1b DRAM产能，并加速M14和M16工厂的1c工艺转换，以生产HBM和服务器DRAM。去年，M15X工厂的产能达到每月1万片晶圆，预计今年将增至每月7万片晶圆。
在新建项目方面，SK海力士正在推进位于京畿道龙仁半导体产业集群的建设，该集群是全球最大的半导体制造项目之一。该集群最终将容纳三星的六座工厂和SK海力士的四座工厂，其中SK海力士的工厂建设将率先推进。
首座晶圆厂 Y1 的建设预计将于明年 2 月完成，比原计划提前。设备安装计划于 2027 年第二季度开始。Y1将分六个洁净室“阶段”建设，洁净室是晶圆厂建设中用于产能扩张阶段的单元。每个阶段都会增加建筑面积和相关设备，以扩大晶圆产能。前三个阶段预计将于同年投入运营，届时月产能将达到 15 万片晶圆；其余阶段全面投产后，每月还将新增 15 万片晶圆的产能。
该产业集群中的第二座晶圆厂Y2预计将于2028年第三季度左右开工建设。
来到封装方面，因为HBM等的火热，让他们寻找新的成长机会。
据《先驱报》商业版周二报道，SK海力士近日在其位于印第安纳州的工地启动了桩基施工，标志着一座专注于人工智能的先进封装工厂的地基建设正式开始。预计地基工程将持续数月，地面施工可能在今年下半年启动。
该项目是SK海力士2024年投资38.7亿美元建设这座占地56公顷工厂计划的一部分。预计将于2028年下半年开始量产，重点生产HBM4E和HBM5等下一代高带宽内存产品。
与此同时SK海力士也在加快国内投资。该公司正在清州建设一座价值19万亿韩元（约合129亿美元）的先进封装工厂，预计将于2027年竣工。
与此同时，三星电子正在重塑高带宽存储器（HBM）后端工艺的竞争格局。该公司计划在其位于忠清南道温阳市的工厂新建一座高达八层、占地8870坪的半导体晶圆厂，并同时建设后端工艺和封装生产线。此举被解读为三星旨在将此前专注于测试的温阳工厂提升为HBM的综合后端生产基地，从而同时保障良率、交付时间和客户响应速度。
据业内人士21日透露，三星电子正计划在其温阳工厂内新建一座专门用于半导体后端加工的晶圆厂。该建筑预计为四至八层，将容纳以白板（WP）线为核心的后端加工生产线以及封装生产线。这被解读为三星电子温阳工厂扩建HBM后端加工能力的讨论已超越评估阶段，进入具体的设施配置阶段。
该晶圆厂的关键在于工艺配置。据报道，三星电子正致力于建立一条以晶圆测试线（WP线）为核心的后端工艺线，并配套建设一条封装（PKG）线。晶圆测试线用于验证芯片在晶圆状态下的电气特性和缺陷，而封装线则是将芯片堆叠并封装，最终完成产品的阶段。
将这两项功能集成于同一空间，可使测试结果立即反映在封装上，从而同时提升生产效率和质量响应速度。业内人士认为，对于HBM等产品而言，这种集成化的操作架构更为关键，因为堆叠结构、热控制和封装精度直接决定了产品的性能和良率。
我们必须说明一下的是，上述谈的的扩产只是我们看到的一部分，并不代表产业的全部。但我们可以确定的是，在AI指出持续高涨的当下，一场围绕着芯片产能的新角逐，已然打响。
本文来自微信公众号“半导体行业观察”（ID：icbank），作者：编辑部，36氪经授权发布。