Kann der AI-Trend ChangXin Memory Technologies auf eine Marktkapitalisierung von über einer Billion Yuan bringen?

Wie lange dauert es, von einem "Geldverbrenner" zu einem "Gelddrucker" zu werden?

Vielleicht ist es eine Zeitspanne von sechs Monaten.

Changxin Technology, der größte DRAM-Speicherhersteller in China, hat Ende 2025 seine Börsengangsanmeldung beim STAR-Markt eingereicht. Die Geschwindigkeit, mit der es Geld verbrennte, ließ die Menschen angstvoll werden. Die Unternehmenszahlen zeigten, dass das Unternehmen in den ersten neun Monaten von 2025 einen Nettoverlust von 5,98 Milliarden Yuan hatte.

Wegen der abgelaufenen Finanzdokumente wurde Changxin beim STAR-Markt vorübergehend gestoppt. Genau in diesen Monaten ereignete sich eine Superpreissteigerungswelle für Speicherchips, die von der KI entfacht wurde. Im ersten Quartal von 2026 stieg der DRAM-Vertragspreis im Vergleich zum Vorquartal um 93 % - 98 %, der NAND um 55 % - 60 %, was ein 15-Jahres-Hochmark erreichte.

Als Changxin erneut auf dem Kapitalmarkt auftauchte, zeigte die aktualisierte Börsengangsanmeldung, dass das Unternehmen im ersten Quartal von 2026 einen Nettogewinn von fast 25 Milliarden Yuan erzielte. Das entspricht einem täglichen Nettogewinn von 270 Millionen Yuan. Es war nun ein echter "Gelddrucker".

Allerdings, wenn man einen längeren Zeitraum betrachtet, hat Changxin tatsächlich zehn Jahre gebraucht, um diesen Ertragstagebuch zu erreichen.

Jetzt steht Changxin vor der Tür des STAR-Marktes und auch vor einer größeren Prüfung: Kann das chinesische Speicherchip-Segment wirklich das Monopol von Samsung, SK Hynix und Micron brechen?

Die Antwort ist nicht so einfach wie ein täglicher Gewinn von 270 Millionen Yuan. Es gibt noch Prozessgenerationsunterschiede, die HBM3-Produktion ist noch nicht in vollem Umfang möglich, und die Kerntechnologien liegen immer noch in den Händen der Giganten. Ob Changxins "Gelddrucker" weiterhin laufen kann, hängt davon ab, ob es in dem nächsten, noch härteren Technologiewettlauf der Zeit überholen kann.

Der Hochstapler hinter zehn Jahren Geldverbrennung

‍Die Geschichte von Changxin Memory beginnt mit dem Gründer Zhu Yiming.

Zhu Yiming, der 1972 in Yancheng, Jiangsu, geboren wurde, absolvierte sein Bachelor- und Masterstudium an der Tsinghua-Universität und absolvierte dann in den USA ein Doppelmasterstudium in Physik und Elektronik-Engineering. Nach seinem Abschluss im Jahr 2000 blieb er in Silicon Valley und arbeitete nacheinander bei mehreren Halbleiterunternehmen.

Im Sommer 2004 stellte er in einem Café in Silicon Valley seinen Gründungsplan einem Gründer der Tsinghua Entrepreneurs Association, Li Jun, vor. Er plante, das größte chinesische Unternehmen für die Design- und Herstellung von Speichern zu schaffen. Dieser Plan erhielt die Unterstützung von Li Jun und führte zur ersten Runde von Investitionen. Im selben Jahr gründete Zhu Yiming in den USA die GigaDevice Semiconductor Inc.

Im Jahr 2005 kündigte er seinen Job in Silicon Valley und kehrte nach China zurück, um das Peking Xinjijiaoyi Technology zu gründen. Das Unternehmen begann mit der Herstellung von Nor Flash-Speicherchips. Im Jahr 2010 wurde das Unternehmen in Zhaoyi Innovation umbenannt und absolvierte 2016 einen Börsengang an der A-Aktienbörse. Der Marktwert erreichte einmal über 100 Milliarden Yuan.

In diesem Jahr wandte Zhu Yiming seinen Blick auf DRAM. Aber dies ist ein äußerst geldfressendes Spiel. Die Errichtung von Waferfabriken, die Forschung und Entwicklung fortschrittlicher Prozesse und der Bruch durch die technologische Blockade erfordern Investitionen im Milliardenbereich.

Schließlich gründete Zhu Yiming mit der Unterstützung der Stadtregierung von Hefei die Changxin Technology. Im Jahr 2018, an einem entscheidenden Punkt, als die DRAM-Produkte kurz vor der Massenproduktion standen, kündigte Zhu Yiming von seiner Position als Generaldirektor von Zhaoyi Innovation zurück und behielt nur die Position als Vorsitzender des Aufsichtsrats bei. Er widmete sich ganz Changxin Memory und übernahm die Position als CEO. Gleichzeitig versprach er, keine Gehälter oder Bonuszahlungen zu erhalten, bis das Unternehmen profitabel wird.

Im Jahr 2019 ging Changxins DRAM-Fabrik offiziell in Betrieb. China absolvierte den ersten Schritt in die Produktion von heimischen DRAM-Chips.

Wenn man sich die Entwicklung von Changxin Memory anschaut, hat es deutlich das Merkmal "Staatskapital baut die Bühne, Unternehmer spielen die Rolle". Dies spiegelt sich auch in der Kapitalstruktur wider. Obwohl in der Börsengangsanmeldung angegeben ist, dass das Unternehmen keinen dominierenden Anteilseigner oder tatsächlichen Kontrollierer hat, spielt das Staatskapital eine wichtige Rolle. Der erste Anteilseigner, Qinghui Jidian, wird nach der Durchschauung von den staatlichen Kapitalen in Hefei dominiert. Darüber hinaus halten andere staatliche Kapitalanlagen direkt Anteile von über 36 %. Zhu Yiming hält indirekt Anteile über Kanäle wie Qinghui Jidian.

Datenquelle: Börsengangsanmeldung von Changxin Technology, Tianyancha

Das Staatskapital besteht hauptsächlich aus lokalen Kapitalen in Hefei.

Dass Hefei der Standort für Changxin Memory wurde, liegt an der von der lokalen Regierung langfristig verfolgten Strategie "Investitionen fördern Produktion". Als Changxin beschloss, eine Fabrik zu bauen, übernahm die Hefei Industrial Investment, als Kernpartner von Qinghui Jidian, das Risiko der Investition in schwere Vermögenswerte. Das Team von Zhu Yiming konzentrierte sich auf die Technologieentwicklung und Unternehmensführung.

Changxin Technology plant, 29,5 Milliarden Yuan zu beschaffen. Der Anteil des Gesamtkapitals nach der Emission soll nicht weniger als 10 % betragen. Daraus lässt sich eine Schätzung des Marktwerts nach der Emission von etwa 295 Milliarden Yuan ableiten. Davon werden 7,5 Milliarden Yuan für die technologische Umrüstung der Waferherstellungsmassenproduktionslinie verwendet, 13 Milliarden Yuan für die DRAM-Technologieupgrades und 9 Milliarden Yuan für die forschungsorientierte Technologieentwicklung. Das Beschaffungsvolumen ist in der Geschichte des STAR-Marktes nur hinter dem von SMIC.

In letzter Zeit hat der chinesische A-Aktien-Speichersektor stark zugenommen. Bis zum 20. Mai dieses Jahres stieg der Wind-Speichermarkeindex um 71,1 %. Zwei Speichermarktführer, Demingli und Jiangbolong, stiegen seit Jahresbeginn um 200,4 % bzw. 133,4 %. Am 20. Mai hielt der A-Aktien-Sektor weiterhin an und wurde die führende Linie im Halbleiter-Sektor an diesem Tag.

Angesichts der Marktforschung und der Leistung von neuen Halbleiteraktien auf dem STAR-Marktes besteht eine Markterwartung von einem Billionen-Marktwert für Changxin.

Am 30. Dezember 2025 hat Changxin Technology seine Börsengangsanmeldung eingereicht. Im März ging die Prüfung des Börsengangs in den Zustand der Unterbrechung über, da die Finanzdokumente abgelaufen waren. Die Prüfung kann erst wieder aufgenommen werden, nachdem die Unternehmenszahlen aktualisiert wurden. Am 17. Mai veröffentlichte das Unternehmen die neueste Börsengangsanmeldung. In diesen über vier Monaten war die Speicherbranche einem starken Wandel unterworfen.

In dieser Zeit stieg der Preis der Speicherchips schnell an, vor allem aufgrund des explosionsartigen Anstiegs der Nachfrage nach KI-Servern.

Im ersten Quartal von 2026 stieg der DRAM-Vertragspreis im Vergleich zum Vorquartal um über 90 %. Die Nachfrage eines einzelnen KI-Servers nach DRAM ist 8 bis 10 Mal höher als die eines herkömmlichen Servers. Die führenden Cloud-Anbieter und KI-Unternehmen haben frühzeitig eine große Kapazität reserviert, was zu einem erheblichen Engpass in der Versorgung von allgemeinen Speicherchips führte. Gleichzeitig richteten die Speichergiganten ihre Kapazitäten auf profitablere Produkte aus, um die KI-Nachfrage zu befriedigen. Dies führte auch zu einem Mangel an herkömmlichem DRAM. Changxin hatte die richtige Position.

Dies hatte auch Auswirkungen auf das Umsatz- und Gewinnverhältnis von Changxin im ersten Quartal. Die Börsengangsanmeldung zeigt, dass Changxin Memory im ersten Quartal von 2026 einen Umsatz von 50,8 Milliarden Yuan erzielte, was einem Jahreszuwachs von 719,13 % entspricht. Der Nettogewinn betrug 24,762 Milliarden Yuan, was nach dem vierten Quartal von 2025 erneut einen Nettogewinn bedeutete.

In den letzten zwei Jahren hat der Umsatz von Changxin Memory ebenfalls einen Jahreszuwachs von über 150 % aufrechterhalten.

Im Geschäftsjahr 2025 betrug der Umsatz 61,8 Milliarden Yuan. Davon stammte 66,43 % von LPDDR-Produkten (d. h. Cache-Speicher für Mobiltelefone, Tablets und Autos) und 31,87 % von DDR-Produkten (d. h. Cache-Speicher für Computer oder Server).

Es ist bemerkenswert, dass das Wachstum des Servergeschäfts hauptsächlich von der KI beeinflusst wird.

Nach Daten von Omdia machte die Server-Nachfrage etwa 50 % des globalen DRAM-Marktes im Jahr 2025 aus. Die dahinter liegende Expansion von Cloud Computing und Datencentern war der Kernmotor für das Wachstum des DRAM-Marktes, insbesondere die Nachfrage nach KI-Rechenleistung.

Der KI-Sturm hinter einem täglichen Gewinn von 270 Millionen Yuan

Die KI-Nachfrage nach Speicher wird hauptsächlich in zwei Ebenen unterteilt: Die untere Ebene ist NAND Flash/SSD, d. h. der "Festplatten-Speicher" eines Computers oder der "Speicherplatz" eines Mobiltelefons. Sie ist für die langfristige Speicherung von Daten verantwortlich und liefert die "Munition" für das Training und die Inferenz. Die obere Ebene ist DRAM, d. h. der "Arbeitsspeicher" von Computern usw. Es ist ein "kurzfristiges Gedächtnis", das verloren geht, wenn der Strom ausgeschaltet wird. Wenn der Chip arbeitet, müssen die Daten zuerst in den DRAM geladen werden, bevor sie verarbeitet werden können.

Darunter ist HBM (High Bandwidth Memory) eine besondere Form von DRAM. Es integriert den Speicher direkt neben der GPU und bestimmt das Datenvolumen für das Training von großen Modellen.

Changxin Memory produziert hauptsächlich DRAM und ist der absolute Marktführer auf dem chinesischen Markt. Seine Kunden umfassen die wichtigsten chinesischen Endkunden- und Cloud-Computing-Anbieter wie Alibaba Cloud, ByteDance, Tencent, Lenovo, Xiaomi, OPPO und vivo. Im Jahr 2025 machte der Umsatz von den fünf größten Kunden 68,08 % des Gesamtumsatzes aus.

Allerdings besteht immer noch eine Lücke im Vergleich zu internationalen Giganten. Laut Schätzungen von Omdia hatten Samsung, SK Hynix und Micron zusammen einen Marktanteil von über 90 % am globalen DRAM-Markt im Jahr 2024. Changxin Memory ist zwar der Marktführer in China, aber sein Marktanteil beträgt nur etwa 3 % - 5 % und stieg bis zum vierten Quartal von 2025 auf etwa 7,6 %.

Im hochwertigsten Marktsegment für Unternehmens-KI-Server spielt es derzeit eher die Rolle eines "heimischen Ersatzes" als die eines Produkts mit der besten Leistung. In Bezug auf den Herstellungsprozess hat Changxin Memory derzeit die Massenproduktion von 17-nm-DRAM erreicht. Es besteht ein Unterschied von etwa zwei Generationen im Vergleich zu internationalen Giganten (1β/1γ nm, etwa 12 - 13 nm).

Der fortschrittliche DRAM-Prozess ist die Voraussetzung für die Herstellung von HBM. Im Speicherkostenaufbau von KI-Servern macht HBM mehr als 40 % aus und ist auch der engste Teil der aktuellen KI-Berechnung. Der globale HBM-Markt wird derzeit vollständig von SK Hynix, Samsung und Micron monopoliert. Die HBM4-Kapazität für 2026 wurde bereits bis 2028 reserviert, und die Versorgungsengpässe betragen weiterhin über 10 %.

Chinesische Unternehmen haben bisher keine Erfahrungen mit der Massenproduktion von HBM. Changxin Memory hat derzeit nur das technologische Niveau für die Herstellung von HBM2 und besteht ein deutlicher generativer Unterschied zu HBM3E/HBM4.

Technologisch gesehen besteht die Herstellung von HBM darin, mehrere DRAM-Chips (unter 1β nm) vertikal zu stapeln, mit Kupferdrähten (TSV) zu verbinden und dann zu verlöten. Am Ende wird das Ganze neben der GPU verkapselt. Dieser Prozess hat eine sehr hohe Ausfallrate. Die Ausbeute bei der 12-schichtigen HBM3E-Stapelung von SK Hynix beträgt nur etwa 75 %, was bedeutet, dass von jedem vierten Wafer einer verworfen wird. Darüber hinaus benötigt die Herstellung von 1 Bit HBM etwa dreimal so viel Waferfläche wie die von DDR5.

Dies bedeutet, dass für jedes zusätzliche HBM-Chip, das hergestellt wird, drei bis vier DRAM-Chips weniger hergestellt werden können. Je höher die Nachfrage nach HBM ist, desto enger wird die Versorgung von DRAM. Dies führt zu einem Paradoxon: Für die drei Speichergiganten ist die Gewinnspanne von HBM weit höher als die von Standard-DRAM. Daher werden sie ihre begrenzte Kapazität für fortschrittliche Prozesse auf HBM ausrichten. Dadurch wird die Kapazität für allgemeines DRAM und NAND gedrängt, was aufgrund der Knappheit leichter zu Preiserhöhungen führt.

KI-Server benötigen sowohl HBM als auch eine große Menge an Standard-DDR5 als Hauptspeicher und eine riesige Menge an NAND-Speicher für Daten. Die dreifache Nachfrage kommt zusammen, während die Versorgung wechselseitig abnimmt. Es ist immer ein Bereich knapp, insbesondere mit der weiteren Verbreitung der KI.

Dies erklärt auch den starken Anstieg der Aktienkurse von NAND-Herstellern wie SanDisk und Western Digital in letzter Zeit. Der Preis für Unternehmens-SSD (d. h. Solid State Drive, ein Produkt aus NAND-Chips) stieg im ersten Quartal um über 40 %. Der Preis für eine 1-TB-Consumer-SSD stieg vom Ende 2025 von etwa 45 US-Dollar auf fast 90 US-Dollar.

Wenn die Datenflut, die durch KI-Training erzeugt wird, eine riesige Menge an Flash-Speicher benötigt und die Speicherhersteller die NAND-Kapazität auf profitablere Unternehmensprodu