36Kr Exklusive Erstmeldung | Mit Abdeckung mehrerer Glieder der Halbleiterindustriekette hat dieses inländische Siliziumkarbid-Materialunternehmen eine Serie-C-Finanzierung von über 100 Millionen Yuan abgeschlossen

Autor | Qiao Yujie

Redakteur | Yuan Silai

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Laut Hard Krypton hat die Zhejiang Liufang Semiconductor Co., Ltd. (im Folgenden als „Liufang Semiconductor“ bezeichnet) kürzlich eine C1-Runde von Eigenkapitalfinanzierungen im Wert von über 100 Millionen Yuan abgeschlossen. Diese Runde wurde gemeinsam von der Beijing Canglin Capital und der Zhuji Industrial Investment Group Co., Ltd. finanziert.

Liufang Semiconductor wurde 2018 gegründet und konzentriert sich auf die Forschung, Entwicklung und Produktion neuer Halbleitermaterialien. Das Geschäft deckt wichtige Prozessschritte wie Halbleiter-Kristallwachstum, Epitaxie und Ätzen ab und bietet nachgelagerten Kunden Lösungen für Kernmaterialien und Präzisionsbauteile.

Das Unternehmen beherrscht die Kerntechnologie für die Synthese von CVD‑SiC Siliziumkarbid-Materialien. Auf Basis dieser Technologie werden Produkte wie Leittrichter, Epitaxie-Träger für einkristallines Silizium, Epitaxie-Träger für LED-Chips und SiC-Fokussierungsringe angeboten, die mehrere Glieder der Halbleiterindustriekette abdecken.

Bei der Herstellung von Ausgangsstoffen für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum verwendet Liufang Semiconductor das Gasphasenverfahren zur Herstellung von hochreinem Siliziumkarbid-Pulver, das Eigenschaften wie hohe Reinheit, hohe Dichte und niedrigen Stickstoffgehalt aufweist. Derzeit können die Leistungen der Produkte des Unternehmens mit vergleichbaren ausländischen Produkten mithalten und werden schrittweise in die inländischen Mainstream-Hersteller für Kristallwachstum eingeführt. Gleichzeitig erweitert das Unternehmen auf Basis der CVD-SiC-Kerntechnologie ständig die Anwendungsbereiche von hochreinen SiC-Materialien, einschließlich der Anwendung von hochreinen SiC-Rohstoffen und -Filmen in Bereichen wie Optik, Chiptemperaturableitung und heterogener Integration.

Zu Beginn seiner Gründung konzentrierte sich Liufang Semiconductor auf die inländische Substitution von Epitaxie-Trägern für Chips mit Siliziumkarbid-Beschichtung. Nach kontinuierlicher Forschung und Entwicklung beherrscht das Unternehmen die Kerntechnologie für Massenproduktionsanlagen und Verfahren für CVD-SiC-Beschichtungen und hat die inländische Substitution von Epitaxie-Trägern für Chips mit Siliziumkarbid-Beschichtung realisiert.

Auf dieser Grundlage hat das Unternehmen die Technologie für das Wachstum, die Herstellung und die Verarbeitung von integralen SiC-Materialien weiter durchbrochen. Integrale SiC-Materialien sind Grundmaterialien für viele Kernbauteile im Halbleiterbereich, einschließlich der Fokussierungsringe, die für den Ätzprozess benötigt werden, und der Randringe, die für RTP-Anlagen erforderlich sind.

(Bildquelle: Unternehmen)

Mit dem Voranschreiten von 3D NAND auf über 300 Schichten steigt die Anzahl der für den Ätzprozess erforderlichen Schritte von 50 auf über 100. Die Erweiterung der Produktion von KI-Rechenchips hat die installierte Anzahl von Ätzanlagen weiter gesteigert. Als Kernverbrauchsmaterial von Ätzanlagen ist die Nachfrage nach CVD-SiC-Ätzringen stark angestiegen. Derzeit liegt der inländische Lokalisierungsgrad von CVD-SiC-Fokussierungsringen unter 15 %, und der Lokalisierungsgrad von Fokussierungsringen, die für fortschrittliche Herstellungsverfahren unter 7 nm benötigt werden, beträgt weniger als 5 %.

Dr. He Shaolong, Gründer von Liufang Semiconductor, leitete das nationale Schlüsselforschungs- und Entwicklungsplan-Projekt „Kerntechnologie für die Herstellung von großformatigem, ultrahochreinem Siliziumkarbid“, um die wissenschaftlichen Probleme der schnellen Abscheidung von CVD-SiC und die technischen Schwierigkeiten der effizienten Verarbeitung von harten und spröden Materialien zu lösen, und schließlich die inländische Substitution und Industrialisierung zu realisieren.

Dr. He Shaolong, Gründer des Unternehmens, absolvierte die Fakultät für Physik der Zhejiang-Universität. Er forschte nacheinander an der Universität Hiroshima und am Nationalen Institut für Materialwissenschaften in Japan. Nach seiner Rückkehr nach China arbeitete er am Institut für Physik der Chinesischen Akademie der Wissenschaften und am Ningbo-Institut für Materialtechnik und forschte im Bereich der kondensierten Materiephysik. Er hat mehr als 30 wissenschaftliche Arbeiten in internationalen Zeitschriften wie *Nature Materials*, *Nature Communications*, *Phys. Rev. Lett.* und *PNAS* veröffentlicht und wurde mehrfach eingeladen, Gastvorträge auf internationalen und nationalen Spitzenwissenschaftskonferenzen wie der amerikanischen March Meeting, der japanischen Halbleiter-Jahrestagung und der Xiangshan-Konferenz zu halten. Derzeit ist er Chefwissenschaftler des nationalen Schlüsselforschungs- und Entwicklungsplans und ein führendes Talent auf Provinzebene in Zhejiang.

Die Mittel aus dieser Finanzierungsrunde des Unternehmens werden vor allem für die Forschung und Entwicklung neuer Spitzenprodukte sowie die Erweiterung der Produktionskapazität verwendet. Das neue Fabrikgelände mit einer Fläche von 100 Mu wird voraussichtlich im Dezember 2026 offiziell in Betrieb genommen.

(Bildquelle: Unternehmen)

Im Folgenden die Fragen und Antworten des Gründers:

Hard Krypton: In welche Richtungen wird die Forschung und Entwicklung der Spitzenprodukte des Unternehmens in der nächsten Zeit hauptsächlich investiert?

He Shaolong: Derzeit erweitern wir bereits die Anwendungsrichtungen, einschließlich der Nutzung von Siliziumkarbid-Materialien in den Bereichen Optik und Chiptemperaturableitung.

Siliziumkarbid hat einen hohen Brechungsindex und einen sehr hohen Anwendungswert in Bereichen wie AR-Brillen und Meta-Linsen. Wir hoffen, die Technologie für die Abscheidung von Siliziumkarbid-Filmen zu erweitern und ihre Anwendung im optischen Bereich weiter auszubauen.

Andererseits beträgt der theoretische Maximalwert der Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid bis zu 500 W/(m·K), was ein sehr ideales Wärmeableitungsmaterial ist. Wir werden die Anwendung von SiC-Materialien im Bereich der Chiptemperaturableitung erweitern.

Standpunkt der Investoren

Canglin Capital: Kernmaterialien für Halbleiter und Schlüsselprozessbauteile sind die Kernpfeiler für die Realisierung der selbstständigen Kontrolle der inländischen Halbleiterindustriekette und auch ein vielversprechender Bereich mit langfristig hohem Wachstumswert im Bereich der Hard-Technologie. Das Team von Liufang Semiconductor verfügt über jahrelange tiefe technische Akkumulation im Materialbereich und solide Fähigkeiten zur Umsetzung der Industrialisierung, was eine herausragende Branchenseltenheit darstellt. In Zukunft werden die Investoren ihr eigenes Netzwerk von Industrieressourcen voll nutzen, um das Unternehmen in Aspekten wie Kundenkontakt und technischer Zusammenarbeit umfassend zu unterstützen und ihm zu helfen, schnell zu einem zentralen führenden Unternehmen in der Branche zu werden.

Zhuji Industrial Investment: Diese Investition ist eine wichtige strategische Anordnung des lokalen staatlichen Industriinvestitionsplattform rund um den Bereich der fortschrittlichen Halbleitermaterialien. Im Folgenden werden wir voll auf die lokalen industriellen Unterstützungsvorteile und das politische Unterstützungssystem von Zhuji setzen, um den gesamten Prozess der Umsetzung und des Baus des neuen Fabrikgeländes von Liufang Semiconductor sowie der Anbindung an die regionale Industriekettenökologie zu gewährleisten, die Entwicklung des Unternehmens in Zhuji fördern und gemeinsam die Entstehung und das Wachstum des regionalen neuen Halbleitermaterial-Industrieclusters vorantreiben.