Lokale Speicher, kollektiver Vorstoß
Kürzlich hat GigaDevice seine Leistungsprognose für das erste Halbjahr 2026 veröffentlicht, wonach der Gewinn um 1099 % explodierte. Dieses Ergebnis hat nicht nur den Kapitalmarkt angeheizt, sondern ist auch ein starkes Signal für die beschleunigte Aufstiegsbewegung der inländischen Speicherunternehmen.
Derzeit befindet sich die globale Speicherindustrie in einem Superzyklus. Nach den neuesten Daten der renommierten Institutionen TrendForce und Gartner hat sich die Gesamtgröße des globalen Speichermarktes wieder auf ein historisches Hoch erholt, wobei sowohl DRAM als auch NAND Flash mehrere Quartale in Folge ein „Wachstum von Preis und Menge“ verzeichneten. Dies bietet chinesischen Unternehmen auch ein Fenster für einen Größensprung.
In zahlreichen Industrieketten und Nischenbereichen wie DRAM, NAND, NOR Flash, Speichermodulen und Schnittstellenchips schreiten die einheimischen Speicherhersteller gemeinsam rasant voran. Chinas Speicherindustrie verlässt allmählich die passive Situation, in der einzelne Unternehmen isoliert kämpften oder nur punktuell Durchbrüche erzielten, und erlebt den umfassenden Aufstieg der gesamten Industriegruppe.
Die beiden Fertigungsführer richten ihren Blick auf den Börsengang
Als zwei tragende Säulen der einheimischen Speicherindustrie stehen ChangXin Memory Technologies und Yangtze Memory Technologies nach der Erschließung der Kerntechnologievorteile vor einem entscheidenden Moment für die skalierte Massenproduktion und die Positionierung auf dem Kapitalmarkt.
Am 9. Juli hat ChangXin Technology das Prospekt für den Börsengang auf dem Sci-Tech Innovation Board veröffentlicht und das Emissionsverfahren offiziell eingeleitet, mit einem geplanten Zeichnungsstart am 16. Juli. Das Unternehmen plant, 29,5 Milliarden Yuan an Kapital aufzunehmen, das hauptsächlich in die technologische Modernisierung der Produktionslinien für Speicherwafer, die technologische Verbesserung von DRAM-Speichern und die Forschung zukunftsweisender Technologien fließen soll.
Nach dem Umfang der Kapitalbeschaffung wird dies einer der größten Börsengänge an der A-Aktien-Märkte seit 2026 sein – und zugleich der überdimensionale Halbleiter-Börsengang, der nach SMIC der zweitgrößte seit Gründung des Sci-Tech Innovation Boards ist.
DRAM ist einer der Bereiche in der gesamten Halbleiterindustrie, in denen Technologie, Kapital und Zykluseigenschaften am engsten miteinander verknüpft sind. Im Gegensatz zu leichtgewichtigen Chipdesign-Unternehmen müssen DRAM-Unternehmen gleichzeitig den Druck aus dem Bau von Waferfabriken, der Geräteabschreibung, der Prozessforschung, der Produktaktualisierung und den Bestandsschwankungen aushalten. Selbst wenn die Massenproduktion der Produkte erfolgreich realisiert wird, ist es für Unternehmen schwierig, stabile Gewinne zu erzielen, wenn Kapazitätsumfang, Ausbeute und durchschnittlicher Verkaufspreis die enormen Herstellungskosten nicht decken können.
Die Leistungsentwicklung von ChangXin Technology in den letzten drei Jahren bestätigt dieses Industriegesetz. Von 2023 bis 2025 belief sich der Umsatz des Unternehmens auf etwa 9,087 Milliarden Yuan, 24,178 Milliarden Yuan und 61,799 Milliarden Yuan. Die Bruttomarge des Hauptgeschäfts stieg 2025 von -2,19 % im Jahr 2023 und 5,00 % im Jahr 2024 schnell auf 41,02 %. ChangXin Technology erklärte im Prospekt, dass die anfangs niedrige Bruttomarge hauptsächlich auf die hohen Abschreibungen und Amortisationen in der Phase des schnellen Kapazitätsaufbaus und der Hochlaufphase zurückzuführen sei, wobei der Größeneffekt noch nicht vollständig freigesetzt worden sei.
Im ersten Halbjahr 2026 hat sich die Rentabilität von ChangXin jedoch verdoppelt. Das Unternehmen erwartet einen Umsatz von 110 bis 120 Milliarden Yuan, ein Wachstum von 612,53 % bis 677,31 % gegenüber dem Vorjahr; der den Aktionären zuzurechnende Nettogewinn soll 50 bis 57 Milliarden Yuan erreichen, während im gleichen Zeitraum des Vorjahres noch ein Verlust von 2,332 Milliarden Yuan verzeichnet wurde – was einem maximalen Anstieg von 2544,19 % gegenüber dem Vorjahr entspricht. Dies zeigt auch das gemeinsame Ergebnis von Preis, Produktionsmenge, Ausbeute und der Verdünnung der Fixkosten, nachdem der DRAM-IDM den Break-Even-Punkt für den Skalenerfolg überschritten hat.
Im Vergleich zum Gewinn hat der globale Marktanteil von ChangXin Technology von etwa 7,7 % möglicherweise eine größere langfristige Bedeutung. Daten von Omdia zeigen, dass Samsung Electronics, SK Hynix und Micron im Jahr 2025 einen Umsatzanteil von etwa 33,96 %, 34,48 % bzw. 23,41 % auf dem globalen DRAM-Markt einnahmen – zusammen über 90 %. Nach dem Umsatz des vierten Quartals 2025 hat der Marktanteil von ChangXin Technology bereits 7,67 % erreicht und liegt damit auf dem vierten Platz weltweit.
DRAM ist einer der Märkte mit der höchsten Konzentration in der globalen Halbleiterindustrie. Seit den 1980er Jahren hat sich die Zahl der globalen DRAM-Hersteller von mehreren Dutzend allmählich auf die drei Giganten Samsung, SK Hynix und Micron reduziert. Die Bedeutung der Position von ChangXin Technology auf dem vierten Platz weltweit liegt darin, dass neben dem seit Jahren bestehenden „Drei-Mächte-System“ auf dem globalen DRAM-Markt eine neue Variable mit skalierter Fertigung, vollständigen Produktlinien und nachhaltiger Finanzierungsfähigkeit aufgetaucht ist.
Auf der anderen Seite hat der inländische 3D-NAND-Führer Yangtze Memory Technologies auch die Registrierung für die Börsengangsberatung bei der Aufsichtsbehörde für Wertpapiere in Hubei abgeschlossen. Im Jahr 2025 wurde Yangtze Memory nach einer Drittbewertung mit einem Wert von 160 Milliarden Yuan in die Hurun Global Unicorn-Liste aufgenommen.
Wichtiger als die Bewertung ist seine globale Marktposition. Nach Daten von UBS hielt Yangtze Memory 2025 etwa 11,8 % des globalen NAND-Flash-Marktanteils, während Samsung etwa 30,4 % einnahm – SK Hynix, Kioxia und Micron etwa 16 %, 15,9 % bzw. 13,3 %. UBS erwartet, dass der Marktanteil von Yangtze Memory bis Anfang 2027 über 14 % steigen könnte. Yangtze Memory ist bereits in die Gruppe der weltweit wichtigsten NAND-Lieferanten eingetreten.
Daraus geht hervor, dass Chinas Speicherindustrie in den Bereichen DRAM und NAND begonnen hat, zwei echte oberste Säulen zu bilden. Früher verfügte Chinas Speichermarkt zwar über zahlreiche Unternehmen für Design, Module, Packaging-Testing und Vertrieb, aber die obersten Großkapazitäts-DRAM- und NAND-Chips waren lange Zeit von internationalen Herstellern abhängig. Heute befinden sich die beiden großen IDMs gleichzeitig in der Phase der Skalenerweiterung und Kapitalisierung, was bedeutet, dass die inländische Industriekette zum ersten Mal über eine große Plattform verfügt, die Waferfertigung, Geräte, Materialien, Packaging-Testing, Controller und nachgelagerte Anwendungen verbinden kann.
Diese aktuelle Hochkonjunktur bleibt nicht auf die beiden IDMs beschränkt. Sie breitet sich entlang der Gliederungen wie Speicherchipdesign, Schnittstellenchips, Modulen und Marken nach außen aus – wobei die Gewinngenerierungsmechanismen der verschiedenen Unternehmen nicht identisch sind.
Design-Unternehmen: Profitieren von dem doppelten Vorteil aus „Preis- und Produktaktualisierung“
Während die Fertigungsseite starke Unterstützung bietet, erleben die einheimischen Speicherdesign-Unternehmen (Fabless) eine doppelte qualitative Veränderung von Leistung und Produktstruktur. In Bereichen wie NOR Flash, EEPROM und Nischen-DRAM/NAND befinden sich die einheimischen IC-Design-Unternehmen – vertreten durch GigaDevice, Beijing Junzheng, Puyuan und Dongxin – an einem äußerst günstigen Schnittpunkt der Zykluserholung.
Im Gegensatz zum Massenmarkt für DRAM und NAND ist der Nischenspeicher jedoch kein vollständig homogener Markt. NOR Flash wird hauptsächlich für die Codespeicherung in Automobilelektronik, industrieller Steuerung, Kommunikationsgeräten, Wearables und Unterhaltungselektronik verwendet; EEPROM wird mehr für die Parameterspeicherung, Kameramodule und Automobilelektronik eingesetzt; SLC NAND konzentriert sich auf Kommunikation, Industrie, Sicherheit und hochzuverlässige Anwendungen; die Kunden von Nischen-DRAM stammen hauptsächlich aus Bereichen wie Automobil, Industrie, Medizin und Unterhaltungselektronik.
Angebots- und Nachfragesituationen, Kundenprüfzyklen und Preisänderungen verschiedener Produkte verlaufen nicht synchron. Daher zeigen Umsatz, Gewinn und Bruttomarge der einzelnen Unternehmen auch im gleichen aufsteigenden Zyklus der Speicherbranche deutliche Unterschiede.
GigaDevice hat kürzlich seine Leistung für das erste Halbjahr 2026 veröffentlicht: Es erwartet einen Umsatz von 11,5 Milliarden Yuan im ersten Halbjahr 2026, ein Wachstum von 177 % gegenüber dem Vorjahr; der den Aktionären zuzurechnende Nettogewinn beträgt 6,9 Milliarden Yuan, ein Anstieg um 1099 % gegenüber dem Vorjahr. Die Kernspeicherprodukte von GigaDevice umfassen NOR Flash, SLC NAND und Nischen-DRAM, daneben verfügt es über Produktlinien wie MCU, analoge Chips und Sensoren. Im Vergleich zu reinen Speicherherstellern kann diese Produktkombination aus „Speicher + Berechnung + Analog“ die zyklischen Schwankungen einzelner Produkte in gewissem Maße verteilen und die Kundenbindung durch den gemeinsamen Vertrieb von MCU und Speichern erhöhen.
Das Wachstum von GigaDevice kommt aus drei Richtungen: Erstens verbessert der Preisanstieg der Speicherchips direkt die Bruttomarge der Produkte. Zweitens erweitert die steigende Absatzmenge von NOR Flash, SLC NAND und Nischen-DRAM den Umsatzumfang. Drittens treibt der höhere Anteil von Produkten mit größerer Kapazität, fortschrittlicheren Prozessen und Automobilanwendungen die Produktstruktur weiter nach oben.
Das Leistungswachstum mehrerer anderer Unternehmen hat sich im ersten Quartal 2026 ebenfalls deutlich beschleunigt. Im ersten Quartal 2026 erzielte Beijing Junzheng einen Umsatz von 1,56 Milliarden Yuan, ein Wachstum von 47,12 % gegenüber dem Vorjahr; der den Aktionären zuzurechnende Nettogewinn betrug 319 Millionen Yuan, ein Anstieg um 331,61 %. Puyuan erzielte im ersten Quartal einen Umsatz von 1,447 Milliarden Yuan, ein Wachstum von 256,08 % gegenüber dem Vorjahr – was bereits etwa 62 % des Gesamtjahresumsatzes des Vorjahres entspricht; der den Aktionären zuzurechnende Nettogewinn betrug 251 Millionen Yuan, ein Anstieg um 1259,87 %. Der Quartalsumsatz im ersten Quartal 2026 und der Nettogewinn von 251 Millionen Yuan haben bereits das Niveau des Gesamtjahres 2025 mit etwa 208 Millionen Yuan übertroffen.
Im Vergleich zu GigaDevice haben die Speicherprodukte von Beijing Junzheng noch deutlichere Eigenschaften von Nischenmärkten.
Durch die Übernahme von Beijing Sichen und dessen Tochter ISSI hat Beijing Junzheng ein Speicherproduktsystem aufgebaut, das DRAM, SRAM und Flash abdeckt – hauptsächlich für Märkte wie Automobilelektronik, industrielle Steuerung, medizinische Geräte und Kommunikation. Diese Kunden stellen höhere Anforderungen an Zuverlässigkeit, langfristige Lieferung und Produktlebenszyklus, und ihre Prüfzyklen sind deutlich länger als bei gewöhnlicher Unterhaltungselektronik. Der Vorteil liegt in langen Produktlebenszyklen, stabilen Kundenbeziehungen und Preisfluktuationen, die normalerweise geringer sind als bei universellem Speicher; der Nachteil ist, dass die Übertragungsgeschwindigkeit der Branchenwiederbelebung auf die Leistung relativ langsam ist.
Puyuan konzentriert sich hauptsächlich auf NOR Flash und EEPROM und erweitert darauf aufbauend seine Produkte zu MCU und Treiberchips. Die Produkte von Puyuan sind stärker auf Märkte wie Unterhaltungselektronik, mobile Peripheriegeräte, Wearables, Kameramodule und Smart Home ausgerichtet. Diese Märkte sind groß, die Produktiteration schnell – aber der Preiswettbewerb ist intensiver, und sie sind empfindlicher gegenüber Veränderungen der Endnachfrage und des Kundenbestands.
Im ersten Quartal 2026 erzielte das Unternehmen einen Umsatz von 1,447 Milliarden Yuan, ein Wachstum von 256,08 % gegenüber dem Vorjahr; der den Aktionären zuzurechnende Nettogewinn betrug 251 Millionen Yuan, ein Anstieg um 1259,87 % gegenüber dem Vorjahr; der nicht nach dem Betriebsergebnis bereinigte Gewinn betrug 249 Millionen Yuan, ein Anstieg um 1213,75 % gegenüber dem Vorjahr. Zum Vergleich: Der Gesamtjahresumsatz von Puyuan im Jahr 2025 betrug etwa 2,32 Milliarden Yuan. Der Quartalsumsatz im ersten Quartal 2026 entspricht bereits etwa 62 % des Gesamtjahresumsatzes des Vorjahres; der Nettogewinn von 251 Millionen Yuan hat das Niveau des Gesamtjahres 2025 mit etwa 208 Millionen Yuan übertroffen.
Dongxin ist eines der wenigen inländischen Fabless-Unternehmen mit mehreren unabhängigen Speicherproduktlinien, die SLC NAND, NOR Flash und DRAM abdecken – wobei SLC NAND sein repräsentativstes Produkt ist.
Im ersten Quartal 2026 erzielte das Unternehmen einen Umsatz von 479 Millionen Yuan, ein Wachstum von 236,95 % gegenüber dem Vorjahr; die umfassende Bruttomarge erreichte 53,17 %, was gegenüber dem gleichen Zeitraum des Vorjahres und dem Vorquartal stark gestiegen ist; der den Aktionären zuzurechnende Nettogewinn belief sich auf etwa 146 Millionen Yuan, was gegenüber dem gleichen Zeitraum des Vorjahres einen deutlichen Verlustausgleich darstellt; der Gesamtgewinn erreichte 153 Millionen Yuan, was gegenüber dem gleichen Zeitraum des Vorjahres um etwa 219 Millionen Yuan gestiegen ist. Das Unternehmen führt das Leistungswachstum darauf zurück, dass die Speicherchipindustrie in einen aufsteigenden Zyklus eingetreten ist und Absatzmenge sowie Preis der Produkte kontinuierlich gestiegen sind. In den letzten Jahren haben einige internationale Hersteller ihre SLC-NAND- und andere reife Speicherproduktlinien schrittweise reduziert und mehr Kapazitäten in hochkapazitives 3D-NAND und KI-bezogene Produkte investiert – was einheimischen Herstellern wie Dongxin die Möglichkeit bietet, ihren Marktanteil zu vergrößern.
Modulunternehmen: Auf dem Weg zu einer hochgradig abgeschirmten Industriekette
Modulunternehmen gehören zu den Gruppen mit der größten Gewinneffizienz in diesem Zyklus.
Lange Zeit galt die Speichermodulbranche als das Glied mit den niedrigsten technologischen Barrieren und der niedrigsten Profitabilität in der gesamten Industriekette. Im traditionellen Modell kaufen Unternehmen hauptsächlich DRAM- und NAND-Flash-Chips von Originalherstellern wie Samsung, SK Hynix, Micron und Kioxia, führen dann PCB-Design, Packaging-Testing, Firmware-Anpassung und Modulmontage durch und verkaufen sie schließlich an Kunden aus PC, Mobiltelefonen, Servern und Industrie.
Dieses Geschäftsmodell führt dazu, dass Modulunternehmen seit langem zwei natürliche Schwächen haben. Einerseits sind sie hochgradig empfindlich gegenüber den Preisen der vorgelagerten Chips: Wenn die Preise der Chips steigen, steigen die Einkaufskosten schnell; wenn die Preise fallen, müssen sie sich dem Risiko der Bestandsminderung stellen. Andererseits sind sie stark von internationalen Originalherstellern abhängig: Chipversorgung, Lieferfristen und Produkt-Roadmaps liegen fast vollständig